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Par analogie à la et la (loi de Kirchhoff), nous avons : TJ (température de jonction (°C ou °K)) équivalente à une tension électrique TA (température ambiante (°C ou °K)) équivalente à une tension électrique P (puissance thermique (W)) équivalente à un courant électrique RTHJA ( (°C/W ou °K/W)équivalent à une résistance él. La puissance dissipée par le composant est définie par la relation Pd = Tj Max - Ta Rth Si la température dépasse la valeur de TjMax, la puissance dissipable est nulle et il y a destruction de la jonction.

La puissance dissipée par le composant est définie par la relation Pd = Tj Max - Ta Rth Si la température dépasse la valeur de TjMax, la puissance dissipable est nulle et il y a destruction de la jonction.

Les contraintes sont multiples (température, dépression, vibrations, humidité) combinées et de fortes amplitudes (-55°C - +125°C, +90% HR, . ) ce qui est peu compatible avec l’utilisation de composants électriques. Il est donc important aujourd’hui de pouvoir estimer la fiabilité des composants.

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La loi d'Ohm thermique permet de calculer la température de jonction TJ des éléments semi-conducteurs (diodes, transistors divers, thyristors, triacs, etc.). Par analogie à la loi d'ohm et la loi des mailles (loi de Kirchhoff), nous avons : TJ (température de jonction (°C ou °K)) équivalente à une.

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Il est important de remarquer, tout d'abord, que c'est la dissipation de puissance dans les transistors eux- même qui nous préoccupe ici, et non la dissipation dans la charge. Ainsi, la puissance dissipée est-ele la résultante de la différence entre la puissance (courant continu) fournie par la.

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